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  • 型号: BSP135 E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP135 E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP135 E6327价格参考。InfineonBSP135 E6327封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP135 E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP135 E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

产品分类

FET - 单

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSP135_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42f02794adb

产品图片

产品型号

BSP135 E6327

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SIPMOS®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 94µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

146pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 欧姆 @ 120mA,10V

供应商器件封装

PG-SOT223-4

其它名称

BSP135E6327T
SP000011103

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120mA (Ta)

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